珠海天成获得一种硅上凹槽无空泛有机介质填充办法专利

来源：米兰app直播下载    发布时间：2025-04-08 01:58:55

　　金融界2025年1月29日音讯，国家知识产权局信息数据显现，珠海天成先进半导体科技有限公司获得一项名为“一种硅上凹槽无空泛有机介质填充办法”的专利，授权公告号 CN 114566471 B，请求日期为2022年2月。

　　天眼查资料显现，珠海天成先进半导体科技有限公司，成立于2023年，坐落珠海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱95000万人民币，实缴本钱95000万人民币。经过天眼查大数据分析，珠海天成先进半导体科技有限公司参加招投标项目488次，知识产权方面有商标信息7条，专利信息64条，此外企业还具有行政许可11个。

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